RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
60
62
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.0
2,168.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
62
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
1586
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link