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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
65
Intorno -132% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
28
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
3804
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
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