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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
65
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
2,784.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
38
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
2451
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
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