RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
65
Intorno -124% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
29
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
3611
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link