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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
21.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
77
Intorno -108% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
37
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3448
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
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Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
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