RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
77
Intorno -48% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
52
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2814
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link