RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
77
Intorno -185% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
27
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3933
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link