RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
14.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
77
Intorno -235% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
23
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3127
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link