RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3386
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link