RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
17.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
77
Intorno -328% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
18
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3668
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link