RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
77
Intorno -208% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
25
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2346
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link