RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
77
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
41
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2154
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link