RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
14.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
77
Intorno -175% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
28
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3567
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link