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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
54
77
Intorno -43% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
54
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2938
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
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