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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Confronto
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
25
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.1
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.6
12.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR5
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
17
Velocità di lettura, GB/s
13.4
21.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.1
19.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3419
3829
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
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