Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15 left arrow 13.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.3 left arrow 10.2
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 36
    Intorno -24% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 17000
    Intorno 1.13 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    36 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.0 left arrow 13.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.3 left arrow 10.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2569 left arrow 2088
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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