RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.7
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
28
Velocità di lettura, GB/s
17.6
20.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
4033
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link