RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
33
Intorno -14% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
29
Velocità di lettura, GB/s
17.6
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2475
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Jinyu 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link