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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Confronto
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
41
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
29
Velocità di lettura, GB/s
13.3
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2322
3757
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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