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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
43
Intorno 47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
11.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
43
Velocità di lettura, GB/s
13.4
11.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2098
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
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Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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