RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
30
Intorno 23% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
30
Velocità di lettura, GB/s
13.4
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
3694
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link