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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
24
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
24
Velocità di lettura, GB/s
13.4
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
3158
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
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