RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
33
Intorno 30% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
33
Velocità di lettura, GB/s
13.4
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2590
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link