RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
23
Velocità di lettura, GB/s
13.4
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
3033
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link