RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
23
Velocità di lettura, GB/s
13.4
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2886
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link