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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
37
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
32
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3196
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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