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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
60
Intorno 38% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
60
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2590
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
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