RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
71
Intorno 48% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
71
Velocità di lettura, GB/s
13.2
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1631
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link