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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
37
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
29
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3311
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
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