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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
37
Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
23
Velocità di lettura, GB/s
13.2
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
19.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
4322
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
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