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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
37
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
33
Velocità di lettura, GB/s
13.2
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2590
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
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