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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
24
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3079
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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