RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2987
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link