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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
28
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.4
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
18
Velocità di lettura, GB/s
12.7
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3814
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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