RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
28
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
20
Velocità di lettura, GB/s
12.7
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3483
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link