RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
28
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.6
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
23
Velocità di lettura, GB/s
12.7
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
18.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
4095
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-H9 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link