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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
35
Intorno -84% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.9
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
19
Velocità di lettura, GB/s
14.4
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3359
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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