RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
35
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
21
Velocità di lettura, GB/s
14.4
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3380
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link