RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
56
Intorno 38% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
56
Velocità di lettura, GB/s
14.4
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2455
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link