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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
39
Intorno -77% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
22
Velocità di lettura, GB/s
11.7
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
3135
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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