RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
39
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
27
Velocità di lettura, GB/s
11.7
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
3557
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link