RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
39
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
24
Velocità di lettura, GB/s
11.7
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2913
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link