RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
39
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
30
Velocità di lettura, GB/s
11.7
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
3431
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link