RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
40
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
40
Velocità di lettura, GB/s
11.7
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2495
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link