Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 39
    Intorno -34% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.4 left arrow 11.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.0 left arrow 7.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 10600
    Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    39 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.7 left arrow 15.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.2 left arrow 13.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1749 left arrow 2854
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti