RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
56
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
33
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2553
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link