RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
55
56
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
55
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2078
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Jinyu 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link