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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
56
Intorno -167% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
21
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3126
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
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Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
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