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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Confronto
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
52
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.3
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
14900
Intorno 1.43 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
26
Velocità di lettura, GB/s
9.7
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
17.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
21300
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2173
3938
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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