RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Confronto
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
52
Intorno -108% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
25
Velocità di lettura, GB/s
9.7
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2173
4039
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Segnala un bug
×
Bug description
Source link